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技术成果
信息类别: 技术成果
项目名称:Si衬底GaN HEMT功率开关器件
发布时间:2018-06-21 09:08:08
简介:苏州能屋电子科技有限公司主要从事研发、生产和销售第三代功率器件。目前公司的目标产品为600V—900V GaN功率器件。这是一种新型的半导体开关器件,其特点是体积小、效率高、性能稳定、寿命长。同时,其击穿电压、导通电阻、工作温度和开关速度等主要参数指标比目前市场上常见的硅基器件有明显的提高,电力转换效率普遍提升2~7%,使电力系统体积减少1/3以上,可以广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和太阳能光伏等应用领域,以更高的电能转化效率、更少的设备耗材为客户创造价值。 
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